联华电子携手ARM验证联华电子14奈米FinFET製程

核心提示：基于联华电子14奈米FinFET製程实作之ARM Cortex® core处理器核心测试晶片正式设计定案

全球晶圆专工大厂联华电子今（22）宣布，与全球 IP 硅智财授权领导厂商 ARM合作基于联华电子14奈米鳍式场效电晶体（FinFET）製程生产的PQV测试晶片已经设计定案（tape out），代表ARM Cortex-A系列处理器核心通过联华电子高阶晶圆製程验证。此14奈米合作案延续自双方成功将ARM Artisan® 实体 IP整合至联华电子28奈米高介电金属闸极（High K/Metal gate）量产製程。

联华电子14奈米FinFET製程技术验证，是联华电子FinFET製程启动其他IP生态系统的第一步，包括基础IP 硅智财（foundation IP）和ARM处理器实体设计。

ARM实体IP设计事业部总经理Will Abbey表示：「ARM和联华电子已在数个技术世代上持续合作，且成果卓越。採用联华电子14奈米FinFET製程的Cortex-A系列核心测试晶片正式设计定案，对我们来说十分振奋。ARM与联华电子将针对此高阶製程技术的研发持续保持紧密合作。」

联华电子负责硅智财开发与设计支援的王国雍副总表示：「在联华电子准备向客户提供14奈米FinFET製程之际，建立强大的设计支援基础以强化14奈米平台的整体效益是至关重要的。ARM是先进製程的IP硅智财全球领导供应商，我们很高兴能够延续先前的成功经验，将Artisan实体IP以及Cortex处理器解决方案纳入联华电子14奈米製程。」

联华电子14奈米FinFET製程已经展现卓越的128mb SRAM产品良率，并预计于2015年底接受客户设计定案(tape-out)。