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円星科技开发台积电28HPC+ ULL SRAM Compiler IP解决方案
进军智能装置芯片市场
円星科技董事长林孝平表示:「円星科技已开发一系列在台积电28HPC+制程的IP解决方案。其中,所开发的台积电28HPC+ ULL SRAM CompilerIP,具有低功耗的特性,加上Green Low Power 的独有设计, 预计将于2016年第一季完成开发,为客户提供完整低功耗IP解决方案。」
台积电设计建构营销事业处资深处长Suk Lee表示:「采用台积电28HPC+制程,业者在相同功耗下可进行较高速度的设计开发;在相同速度的设计过程中可降低漏电流。未来藉由台积电极具竞争力的28HPC+制程技术与円星科技携手合作,将协助客户开发各式智能装置的应用产品。」
円星科技在台积电28HPC+开发的IP,包括完整的低功耗(Green、Low、Power)内存编译程序平台,如一端口缓存器档案 (One Port Register File) 、二端口缓存器档案(Two Port Register File)、高密度单端口 SRAM 编译程序 (High Density Single Port SRAM Compiler) 、高密度双端口 SRAM 编译程序 (High Density Dual Port SRAM Compiler) 以及 高密度VIA ROM编译程序 (High Density VIA ROM Compiler)。円星科技在台积电28HPC+开发的内存编译程序皆具备节能模式, 用户可依据不同操作状态,切换到当下最佳省电模式,来延长行动组件电池的使用时间。
在标准组件库(Standard Cell Library)使用上,搭配特有的低耗电最佳设计模型( Low Power Optimization Kit) 以及电源控制模块( Power Management Kit),可提供使用者进行高速,以及低功耗的设计。这些省电模式适用的标准组件库包括:7轨道高密度组件库(7-Track, High Density Library),9轨道通用型组件库(9-Track, General Purpose Library),12轨道高速型组件库(12-Track, Ultra-High Speed Library)。
此外,円星科技亦针对广大USB相关应用、固态硬盘(SSD)市场、行动装置以及通用闪存(UFS)应用,开发各式差异化的28HPC+高速接口IP解决方案,包括USB、PCIe、MIPI D-PHY与M-PHY等IP,解决了当今主流智能装置中各种芯片互连的需求。
透过円星科技开发的台积电28HPC+IP解决方案,协助芯片设计业者实现更低功耗、更高效能以及较小面积的设计,客户可进行各式智能装置的产品设计,包括手机影音、无人机/车、车用电子、GPS定位等应用产品。
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