封装和密度的边界,非易失性,3D NAND,倒装芯片互连

---热词频闪的中国存储器产业发展论坛(2017)

    全球存储器市场规模近800亿美元，其中有一半使用在了中国。在移动通讯、云计算和物联网的驱动下，闪存的应用在可预见的将来会保持高速增长。跨国公司如何凭借技术和先发优势参与中国市场的竞合并从中获益？中国企业如何学习先进经验，借助市场和资金的优势，在国际竞争中获得应有的地位？

    2017Semicon展会期间，“中国存储器产业发展论坛”力邀风云人物，共谋存储器大局。

    通富微电子有限公司的首席策略官和业务发展副总裁彭安主持会议，业界5位有影响力的专家做了专题演讲，300多位行业链上的技术管理人员聆听了报告。

    Micron高级内存解决方案副总裁 Dean A. Klein作开场演讲，

    报告题目《记忆创新的历史与未来》。

    报告主题：通常认为固态半导体存储器是当今数字世界的推动者。今天的内存芯片将数十亿个晶体管集成到单个硅片上，推动了封装和密度的边界。这个研讨会将回顾记忆的历史，导论到今天的DRAM和NAND闪存，预测今后一个阶段的走向。

    西方数字下一代平台技术部主任 Zvonimir Bandic的报告回顾了在过去5年中，半导体行业在新兴非易失性存储器（eNVM）领域出现的一系列研发活动。在组件级，eNVM的特征在于低延迟，基本上类似于DRAM并远低于NAND闪存，相对高密度和非易失性。其组件成本预计在DRAM和3D NAND闪存之间。

    报告中谈到将考虑两种主要的编程模型，它们可以利用纳秒级的持久性存储器组件：处理器寻址的存储器架构模型和块I / O架构模型。Zvonimir Bandic表示已经实现了基于这两个模型的原型设备，并测量和比较系统性能，重点从应用程序的角度来看访问延迟。将讨论这两种方法的性能和实现优点和缺点，并提供对软件和操作系统就绪性的评估。

    Zvonimir Bandic的报告谈到，除了在本地访问永久性存储器之外，还考虑了用于大规模部署持久性存储器的各种架构。通过网络访问持久性存储器设备带来了自己的一系列挑战，这显著取决于存储器架构模型，但也取决于网络延迟。由于网络延迟必须得到改进并且必须达到类似的性能规模以充分利用新的存储器，所以新类别的超快存储器设备正在对分布式架构造成挑战。Zvonimir Bandic表示，我们将讨论网络协议（例如NVMe over fabric），它们的实现和性能，以及可以将网络延迟降低到2小时以下的原型网络架构。

    Gigadevice Semiconductor产品营销副总裁曹堪宇报告要旨:专业记忆与主流存储器市场相比具有显着不同的市场特点和动态。与近期占主流NAND和DRAM市场不同，专业存储器市场拥有充满活力和多样性的全球生态系统。行业的最新发展为中国不断增长的本地记忆公司带来了新的机遇。

    江苏长江电子科技有限公司技术副总裁兼层压包装业务部总经理史蒂夫梁的报告在IC封装开发上做了专题探讨，主要谈到先进的MCM-L RFIC SiP封装的开发和商业化及基于高密度高性能层压基板和细间距元件。

     Lam Research公司全球产品部技术总经理Rich Wise的报告摘要:3D NAND技术已广泛应用于存储器存储，并在全球大批量生产。我们讨论在制造工厂环境中这些器件的制造中的各种蚀刻和沉积挑战和相关解决方案。克服最关键的挑战的解决方案正在诸如先进的过程控制，新材料，平台架构，晶圆边缘优化等多个领域中得到开发。Rich Wise的报告谈到一些关键的解决方案，表示希望以实现未来更高的生产率和性能世代的3D NAND支持业界的成本缩减路线图。

    TechSearch国际公司的总裁和创始人E. Jan Vardaman 做压轴演讲。报告摘要:DRAM的包装处于一个拐点。在过去几十年中，通过线接合互连占据主导地位，性能需求推动了DRAM市场的某些部分采用倒装芯片互连。这些新的驱动因素是什么，它们如何影响行业？报告介绍了新包装开发的驱动因素，并突出了行业发生的变化。E. Jan Vardaman的报告最后讨论了应用程序的包装趋势，包括移动和高性能计算和网络。

    半天时间5场报告，场场精彩，其内容紧贴热点环环相扣，前瞻性的话题和先进技术的展现吸引了大批专业听众，原240人座位的会场挤满了300多人，很多人站着听完全场报告。

                                                                                          （SEMI）