中国电科山西碳化硅材料产业基地实现4英寸晶片量产

 据中央纪委国家监委网报道，目前，中国电科山西碳化硅材料产业基地已经实现4英寸晶片的大批量产，6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证，预计年底达到产业化应用与国际水平相当。

 此外，中电科总经理李斌表示，目前国际上碳化硅晶片的合格率最高是70%-80%，而原来国内实验室生产的碳化硅晶片的合格率仅有30%。但在碳化硅产业基地，这个合格率可以达到65%。现在我们在实现迅速研发的同时也进一步开展量产，三年内整个项目要达到18万片每年的产能。另外，我们目前在进行8英寸晶片的研究，希望三年之后，我们能有8英寸的样片出来。

 2019年4月1日，中国电科（山西）碳化硅产业基地一期项目开工建设，同年9月26日封顶。

 今年2月28日，中国电科（山西）碳化硅材料产业基地在山西转型综合改革示范区正式投产，第一批设备正式启动。

 据报道，基地一期项目可容纳600台碳化硅单晶生长炉，项目建成后将具备年产10万片4-6英寸N型碳化硅单晶晶片、5万片4-6英寸高纯半绝缘型碳化硅单晶晶片的生产能力，是目前国内最大的碳化硅材料产业基地。这一基地的启动，将彻底打破国外对我国碳化硅封锁的局面，实现碳化硅的完全自主供应。

 据悉，自 2007 年，中国电科 2 所便着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划。2018年，中电科二所在国内率先完成4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底材料的工程化和6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的研发。