中国电子芯片关键技术实现重大突破

    中国首条８英寸绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）专业芯片生产线近日在中国南车株洲电力机车研究所有限公司建成。

　　业内人士认为，这标志着中国在被认为是电力电子行业“皇冠上的明珠”的关键技术上实现重大突破，打破了国外在高端ＩＧＢＴ芯片技术上的长期垄断，对推动节能减排、培育战略性产业、保障经济安全具有重大战略意义。

　　“为了实现‘ＩＧＢＴ’国产化之梦，中国南车集合了上百位专家，经过２０年的艰苦研发，累计投入超过３０亿元，在ＩＧＢＴ芯片设计、封装测试、可靠性试验、系统应用上攻克了３０多项重大难题，终于掌握了该器件的成套技术。”中国工程院院士、中国南车株洲电力机车研究所总经理丁荣军说。

　　ＩＧＢＴ技术的研发、制造、应用是衡量一个国家科技创新和高端制造业水平的重要标志，包括芯片、模块、封装、检测和应用等多项技术。其中，芯片技术含量最高，以８英寸ＩＧＢＴ芯片为例，其上面布满１２８块小芯片，每块小芯片只有指甲盖大小，厚度仅为人体两根头发丝，但其内部包含了逾６万个称之为“元胞”的基本单元。

　　作为世界功率半导体器件最先进的技术，全球第一只ＩＧＢＴ于１９８２年出现在美国ＧＥ公司。上世纪９０年代，受到轨道交通交流传动应用需求的强力牵引，ＩＧＢＴ技术与产品迅速发展，逐步成为交流传动的主流器件。

　　尽管早在１９９６年，中国就把发展ＩＧＢＴ芯片及模块产业化作为重点项目，但是一直未能取得实质性进展，造成全球ＩＧＢＴ技术一直被欧洲、日本等少数几个国家所垄断。

　　中国的ＩＧＢＴ芯片及其相关产品９９％以上依赖进口，国内在芯片、封装、装置、系统还没有形成独立、完整的技术体系和产业体系。特别是在１２００伏以上中高压ＩＧＢＴ技术及产业化能力上，与国外仍有较大差距。

　　据了解，中国南车这条自主研发的８英寸ＩＧＢＴ生产线，首期将实现年产１２万片８英寸ＩＧＢＴ芯片，配套生产１００万只ＩＧＢＴ模块，真正实现ＩＧＢＴ的国产化。这也是全球第二条８英寸ＩＧＢＴ芯片线，将真正改变中国在电力电子器件领域受制于人的局面，同时也会大大降低该产品在国际市场的价格。

　　南车时代电气ＩＧＢＴ事业部总经理刘国友告诉记者，早在２００８年中国南车并购英国丹尼克斯半导体公司，准备进军ＩＧＢＴ市场时，国外厂商就把ＩＧＢＴ产品价格下降了２０％左右。

　　业内专家认为，中国掌握被称为“大国重器”的高端ＩＧＢＴ技术并取得产业化突破，不仅是对我国高端制造技术和自主创新的认可，更具有多重战略意义。

　　丁荣军表示，为进一步整合国内ＩＧＢＴ产业从材料到应用的上、下游优势资源，中国南车正在牵头策划成立中国ＩＧＢＴ技术创新与产业联盟。同时，按照全球ＩＧＢＴ技术发展趋势，正在研发第五代、预研第六代ＩＧＢＴ技术，以持续确保我国在ＩＧＢＴ产业上的技术支撑与核心竞争力。