半导体项目中部分工艺的PV(工艺真空)需求：

光刻工艺：

• 曝光环节：一般要求达到10⁻³至10⁻² Pa的真空度，确保光刻胶均匀涂布和曝光的准确性，避免气体分子干扰光子传输和光刻胶的感光反应，保证光刻图案的高精度。

• 光刻后处理：光刻后的显影、清洗等过程，对真空度要求相对较低，通常在10Pa至100Pa范围，主要用于维持一定的洁净环境，减少杂质对光刻后晶圆表面的污染。

刻蚀工艺：

• 反应离子刻蚀（RIE）：通常需要将真空度控制在10⁻¹至1 Pa，在此压力范围内，能使等离子体中的离子和自由基与晶圆表面材料充分反应和碰撞，实现精确的材料去除。

• 电感耦合等离子体刻蚀（ICP）：要求的真空度一般在10⁻²至0.1 Pa，更高的真空度可使等离子体密度更高、能量分布更均匀，提高刻蚀的各向异性和选择性。

镀膜工艺：

• 物理气相沉积（PVD）：蒸发镀膜一般需要达到10⁻⁴至10⁻³ Pa的真空度，保证蒸发的原子或分子能够在无干扰的情况下到达晶圆表面并均匀沉积；溅射镀膜时，真空度通常在10⁻⁵至10⁻⁴ Pa，确保溅射粒子的飞行路径不受气体分子阻碍，提高薄膜的质量和性能。

• 化学气相沉积（CVD）：低压化学气相沉积（LPCVD）的真空度一般在10至100 Pa，使反应气体在较低压力下能充分扩散和反应，沉积出均匀、高质量的薄膜；等离子体增强化学气相沉积（PECVD）通常需要将真空度控制在1至10 Pa，利用等离子体激发反应气体，在较低温度下实现高质量薄膜沉积。

离子注入工艺：

• 常规离子注入：一般要求达到10⁻²至10⁻⁴ Pa的高真空区域，确保离子束在传输过程中不与气体分子发生碰撞，保证离子能够准确地注入到晶圆预定位置和深度。

• 高能离子注入：对真空度要求更高，通常需要达到10⁻⁴至10⁻⁶ Pa，以减少离子束散射和能量损失，提高离子注入的精度和深度控制。

封装工艺：

• 芯片贴装：真空度一般在100至1000 Pa，利用真空吸附实现芯片与基板的精确对准和贴装，同时排除空气，提高贴装的可靠性。

• 灌封环节：在进行灌封材料填充时，真空度通常在10至100 Pa，排除封装内部的空气和水汽，防止气泡产生，提高封装的密封性和稳定性。

来源：半导体芯盟