解析：铜核球支援下的半导体封装

                         解析：铜核球支援下的半导体封装

    近几年，平板与智慧型手机以超高的人气，在市场需求下急速扩张。伴随着大众对高机能需求的同时，高密度封装技术也同样被追求着，为实现高机能、高密度化，可预想到CSP的尺寸将变得愈来愈薄也愈来愈大，相对的也更期待着3D封装化与大型WL-CSP化等新技术与新材料的出现。千住金属工业也回应这些要求，准备了许多不同目的及用途的焊材，于SEMITaiwan中发表。
    所谓的3D封装，是PKG与电子零件，以纵向方式向上接合，基板与零件会在近250°C的回焊炉中反覆的来回。其结果，因钖球熔融，再加上负荷过重，有可能造成钖球与钖球间互相接触而发生电气短路的情况。针对这个课题，千住金属提出了可确实确保空间的铜核球。铜核球中作为核心的铜球，其熔点温度约为1，080°C，即在回焊剂中返覆来回，铜球的形状也不会改变，故能为3D封装保留出一定的空间。并且，在一般电镀工程中所必须用的铜柱，也可以改换成铜核球，以现有设备来进行封装制程。