3D IC能否延续摩尔定律？

从2012年开始，摩尔定律就逐渐放缓了前进的步伐，随着先进工艺节点向10/7nm制程迈进，偏差也变得越来越大，预示着高阶工艺节点已经达到物理晶体管尺寸极限。但与此同时，随着服务器CPU、GPU等芯片功能日趋丰富，性能日趋强悍，其裸片(Die)尺寸却在不断增长，正在逼近光刻机光罩尺寸的极限。

也就是说，两者之间的矛盾正变得越来越不可调和。一方面，晶体管微缩工艺难度猛增，导致晶体管容量增加遇到瓶颈；另一方面，日趋丰富的功能需求却需要越来越大的裸片尺寸，直逼光罩极限。

因此，IC设计从2D走向3D的优势是显而易见的，包括更短的引线、更低的功耗、更高的带宽、更小的封装尺寸等等。但对设计厂商和封装企业来说，3D-IC会带来很多挑战，比如裸片放置与Bump(凸点)规划、SoC和封装团队各自为战、缺少统一的数据库、跨芯片/Chiplet及封装的热分析、系统级裸片连接验证、设计复杂程度上升等。

                                                                    （CRC编辑）