格罗方德全新推出业内第一个22nm FDX平台技术

                        9月16日举行半导体媒体见面会

    GLOBALFOUNDRIES格罗方德半导体公司9月15日-16日参加了于浦东卓美亚喜玛拉雅酒店举行的2015上海FD-SOI论坛，，并就FD-SOI和RF-SOI做了最新技术分享。

   格罗方德公司Global Design Solutions部门副总裁Subramani Kengeri，格罗方德公司RF Product Marketing and Business部门总监Peter Rabbeni作为发言人，在会上介绍了公司情况，回答了记者的提问。

    EDN China电子技术设计Echo Zhao赵娟，ec.hc360.com慧聪电子网Xiukai Bian边秀凯，Semi China Semi 中国Gang Yao姚，EEFocus与非网Carrie Gan干晔，Shuyi Wang王树一，

EETrend电子创新网Richard Zhang张国斌，SolidState Technology半导体科技Yeva Zhang张彦雯，

EEWORLD电子工程世界Kai Ji冀凯等专业记者参加媒体见面并就各自关心的问题做了采访提问。

               第一部分：Subramani Kengeri PPT介绍公司简介以及22FDX

    格罗方德公司Global Design Solutions部门副总裁Subramani Kengeri介绍公司概况

    Subramani Kengeri：今天下午我们的演讲主要是围绕着一个全新的科技，22FDX。在我演讲开始之前我还是想告诉你们一些关于GF的细节。

    在并购IBM的微电子部门之后，我们的预期收入在今年将达到60亿美金。第二个重要的信息，我们是全球第二大的晶圆代工厂。收购IBM微电子业务时我们一并收购了其一万六千左右项专利，加上我们自己拥有的将近九千个专利，现在一共加起来约有两万五千个专利。当GF在2009年刚开始的时候只有一个客户，AMD。2010年，我们并购了chartered Semiconductor之后，我们吸纳了他们将近一百六十个客户，在合并了IBM微电子部门之后，我们现在的客户数量达到250个。

    我们吸纳了IBM原来五千位员工，现在我们员工总数已经超过了一万八千名。我们的业务跨三个大区，北美洲、亚洲和欧洲。另外我们也是一个值得信赖的生产厂家，美国政府已经认可我们的产品做政府项目。在并购IBM之前，我们在全球半导体行业的排名是第十九位，并购之后我们跃居到了第十三位。当然我们是一家私营的企业，因此我们不会公开销售报告，这些数据是由报告公司、市调公司得到的。

    2014年1月份的时候，Sanjay Jha博士担任了我们CEO一职之后，他提出了三个主要的业务发展方向，卓越的运营，提供差异化的产品，并且发展战略伙伴关系。我们致力在研发方面长期投入，这也是我们并购IBM的初衷。接下来这页PPT上的一些细节，我就不连篇累牍，你们已经收到这个PPT了。主要我们想说明的是，并购IDM微电子业务之后，得到了RF方面的巨大优势。

    在并购IBM微电子业务之后，我们的年生产质量已经达到了七百万晶圆每年，澄清一下，这里是指200mm晶圆。那么我们第一个工厂其实是在德国的德累斯顿，然后再2010年合并当中我们得到了新加坡一家晶圆厂，而之后的伯灵顿以及East Fishkill这两个厂都是通过IBM的并购获得的，并且在纽约的马尔他地区我们也组建了一个最先进的晶圆生产厂。

    讲过了GF公司简介之后，我们来讲讲22FDX的具体细节。

    首先我们要理解半导体行业发展的驱动力在哪里，虽然移动计算(mobile computing)会不断的增长，但其实它的增速已经不如以前了。我们预计新创新的普适计算(pervasive computing)的发展，将会成为最快速增长的市场之一。而智能计算（intelligent computing）的兴起将会未来半导体行业带来巨大改变。但是最重要的是，在这将来主要的三个增长点背后的驱动力其实是降低成本、提高能效。

    在成本方面，其实业内人士也知道我们面临诸多的挑战，原因如下：

    由于半导体是一个新兴的行业，在四十年的不断发展以后，如果大家还以为它会在成本不增长的情况小艾，持续以高速增长，那这样的想法是不对。那么我们有理由相信，成本不变但是快速成长的时期已经过去了（如PPT上图）。在这页PPT上，我们看到的是能效，这张能效的表和比对图告诉我们，其实不管是使用哪一种科技，0.4伏的工艺电压是最好的。因此0.4伏的工艺电压对于接下来所有科技的发展都至关重要，而22FDX可以带你进入新纪元。

    首先这是业内第一个22nm FDX平台技术。这个技术最有价值的一点，就是它提供的性能和功耗堪比FinFET， 但成本却与28nm相当。刚才提到能效的时候，我们也提到了最好的工艺电压就是0.4伏，因此0.4伏超低功耗是异常重要的。22FDX这个平台还可以提供很多其他的特征，其中有一个非常重要的就是控制可以直达晶体管层级，在功耗和性能表现之间获得完美的平衡。在整合了RF，可以降低系统成本大约50%，后门功能还降低了一半RF的功耗。我们是第一个成功试验了流片后的调试，允许在安装之后进行进一步的调试，这个是其他任何工厂到目前为止都还没有做到的。

在总功耗和频段之间，你可以看到，28HKMG技术在不用体偏压技术的情况下，能实现让表现提高40%，而功耗不提高。用体偏压技术之后，你还可以将性能再提高30%。30%或40%的提高实际上是很温和的提高，不像70%的提高那么明显。从28nm技术基础上到22FDX，相当于是经历了2代技术。

    因此，又要性能表现提高，又要降低能耗，你其实可以根据实际需求做出一个选择。这一张页面表现的是，在体偏压可调节的情况下，可以让这一个产品适应用很多不同的程序。

再举一个例子，从总功耗和频段上看， 1.2GHz对于高端手机非常重要，800MHz主要针对的是中端机，也有低端的手机520MHz。对于1.2GHz频段，22FDX能相比28HKMG提高至少50%的性能，和降低18%的能耗。在800MHz频段，22FDX可以实现降低47%功耗。而对于520MHz 层面，工艺电压0.4V的情况下，功耗能降低92%。我们相信，目前的科技来讲，只有22FDX可以做到。就像我一开头在我的演讲当中提到的一样，我们的22FDX可以在1.2GHz频段提供如FinFET的高效能表现，或者你可以选择省功耗50%，或者是0.4伏工艺电压，每个不一样的选择都可以来满足不同市场的需求。现在市场上80%使用的是28HKMG，我相信他们会逐渐转换和使用我们的产品。

    你可以在这两个之间做选择，要么是FinFET那样的高性能，要么就是使用0.4V工艺电压带来的能耗降低。而这一切的成本始终是和28SLP-HKMG相当。

    所以FDX中的X指的是平台的扩展性，我们在这一方面已经扩展出了四个不一样的平台，以此来满足不同的需求。第一个是ulp，如果您希望0.4伏的工艺电压，ulp是可以做的到。ull可以面向低漏电产品，将漏电电量降至1pa/um，这个是目前行业能够做到的最好的。uhp可以为您提供超越FinFET的表现，rfa是一个延展平台，面向所有的射频模拟产品。所以22FDX这单一的技术平台，其实可以拓展，满足很多不同应用的需求。

    接下来说到FDSOI和FinFET这两项不同技术的对比与规模。FinFET可以做到10nm级以及7nm级，FDSOI可以提供同样的优势，并且成本更低。

    现在22FDX正好是处14LPP/LPE，和10LLD之间，他的设计工具已经上市了。我们的下一个节点的目标是10nmFinFET相对应的性能，但是低20-30%的芯片成本。我们还没有为这下一个技术取名。但当前最重要的一个信息就是这一项科技是正好处于发展需要的时间，并且是一个更好试行的科技。22FDS虽然是一个单一的技术平台，但是它的拓展性和适用性相当自广泛。

    那么，为什么这个科技是正当良时，而且又在适合的市场，以下就是原因。它既能够提供FinFET的优异性能，且它的成本和28nm的产品相当，它的工艺电压是0.4伏，它可以由软件来控制晶体管的体偏压，以此应用于很多不同的应用，他已经整合了RF以及eNVM，使整个系统的成本更低，功耗更低。另外它也可以做到流片调试。基于以上的原因，我们现有的客户对此技术非常的欢迎，而且很希望进一步与我们研发下去。

一般如果要做到SoC，其实是要在节能和性能中做取舍的。譬如说你有一个智能的手表，这个手表它可能长期处在待机的状态，但是如果你使用GPS，那么这个就取决于你的位置在哪里，你要到哪里去，它就可能会被唤醒，去完成一系列高性能的表现，之后它再次进入到待机状态。那么这个就要求唤醒时更侧重高性能，待机时更侧重省电，而这个切换得自动完成。我们用外部软件控制体偏压，如果软件够智能，能够让你对SoC内部部件如晶体管进行控制，调节所需的性能或能耗的平衡，而这个平衡是现在其他的技术暂时还做不到的。

     关于流片（Post-Silicon） Tuning/Trimming，这个是非常重要的，前者当你的产品需要有高性能的表现或者是需要低耗电不那么高的性能的时候，可以通过改变体偏压实现。或者是在另一项应用里，你真的需要超低耗电或者超低漏电，也可以在流片后调整。后者RF的调整也非常重要，和产品良率有关，如果不能够进行流片后调试，报废率是很高的。经过流片后调试之后，即使这个晶片有稍微一点点的差别，调试之后就可以减少报废率，是很大的成本优势。

    该技术在客户中非常受欢迎。

                 第二部分：Peter Rabbeni PPT介绍公司简介RF-SOI

   格罗方德公司RF Product Marketing and Business部门总监Peter Rabbeni介绍公司简介RF-SOI

     Peter Rabbeni：我的演讲主要是围绕着智能手机方面一个非常重要的技术核心，这个技术核心是所有的无线电视相互交流当中必须使用的技术，所有手持的设备，它都会用到一个RF前端模块的设备，这个全新的技术核心，我们称之为RFSOI。

    我的演讲一方面是关于智能市场的趋势，尤其是智能手机的趋势对RFSOI前端模组的影响。另外是为什么RFSOI如此重要，以及第三是格罗方德在RFSOI方面技术的应用。

    智能手机市场对我们公司来讲是一个非常重要的市场，因为这个市场上数据流量越来越高了，根据思科（Cisco）的预测，到2019年底，通过无线传输的数据将达到2920亿GB，这个数据到底有多少，我们把它存进CD盘，CD盘排列起来可达有33公里的路程。如果这样想的话，这个数据是非常可观的数据。

    这里我主要想要讲的是，面临现有及今后的设备所需要使用、传输的数据量，网络上已经已经做出了巨大的改变。第一个改变就是LTE频带的扩展，在扩展当中有很多不同的协议以及协议改进出台及应用，扩频是为能够承载未来那么大的数据流量。第二是载波聚合（CA），多种不同的载波来更好传输流量，第三个是用于宽频的MIMO技术，这个技术指的是很多不同的信号在传递中保证信号的完整性。第四个是OFDMA这个波型，这个波型指的有关受到带宽的限制，和光伏也是有一定的限制，也是极其复杂的。因此需要产生不同的波型。

    这些的改变在手机上体现为智能手机的构架渐现其复杂性，智能手机网络从2G，到3G，到4G，对射频的要求也越来越高，不仅仅是有功率放大器，有更多的开关、过滤器，在PA跟天线之间又架构了更多不同的部件，因此在现在手持设备商对于PA的性能要求越来越高。你可以看到这里有RF的开关，并且在PA和天线之间也假设了很多其他的设备，这一系列都是为了让如今的射频智能手机拥有一个更高性能的解决方案，这一切都可以用到一个技术，也就是RFSOI。

那么为什么要选择RFSOI，为什么现在关键时刻就是现在呢？有以下一系列特性上的原因：

首先，它能够在CMOS之上实现设备的堆叠（stack devices），克服的Johnson 极限(Johnson Limits)，提高效率。所以有了RFSOI可以达到高效与高功率并行。

    第二个选择RFSOI的原因，就是因为现在的智能手机里面，普遍运用LTE，因此RF的性能就必须提高，RF的衬底优势降低了寄生效能，提高了它的绝缘性。

那么第三个选择RFSOI的优势，就是因为我们所谈到的技术都是基于硅芯片的基础，在同一张硅芯片上可以实现这些逻辑与控制集成。但是这原来是基于GaAS技术解决，并不能实现集合逻辑控制，需要另一个单独芯片以控制GaAS芯片。但是如果是用RFSOI的话，可以在同一张芯片上集成的。

    选择这个FRSOR的第四点跟第五点都是跟成本有关的，指的是这一项技术里面可以应用于大部分主流生产企业，不需要特别的大，封闭式的晶圆厂来用这项技术。

说到为什么现在这个时候选择RFSOI的原因有以下四个。第一是因为技术的性不断改进，适用于多种应用程序，并已经被广泛的使用，另外在设计的社区，已经在很多设计师在使用这个技术设计方面，取得了很多经验。第二衬底的改进，在200mm到300mm生产范围内，已经有多种衬底，我们的生产技术现在也已经很成熟了。因为生产技术已经相当成熟，因此我们可以降低成本，生产这个成本是低于GaAS的成本。第三是数字的内容，现在已经可以实现芯片集成，因此就为我们设计新的芯片框架拓展了思路。

    在说到RF这个模块的重大技术区，首先RFSOI可以提高天线和模式转调节器性能。其实现在有不少的工厂都在想办法要用RFSOI的技术在功率放大器PA，尤其是低噪音的PA上进行应用。唯一我现在可以看到的这个技术还不能，或者非常困难应用在的地方，就是过滤器，但是我相信，随着技术的不断发展，这个也是可以的。用RFSOI可以实现很多不同的功能，更重要的是这些功能随着技术的核心，都可以在同一片芯片的RFF应用前端模块上实现。

    我们在RF MEMS旁边画了一个问号，是因为尽管RF MEMS性能很高，但它的生产成本还是比较高，现在短期之内，没有办法得到复制，希望今后制程上的创新，能降低其成本。另外还提到的一点是LTE今后将会越来越复杂，可能RF MEMS在LTE一些高端、高性能的应用程序当中能得到应用，可以吸收一部分相关的成本，使它可以相对成本降低一些，这个我们拭目以待。

    记者：可以比较一下砷化镓方案的功率放大器和RFSOI方案的功率放大器的性能吗？

Peter Rabbeni：GaAS在PA上面的话，目前还是处于垄断状态，RFSOI在追赶，也有一些方案在进行，比如包括Pericom有一个很好的方案，宽频性能很好，适合低频和中低频的应用。但在一段时间之内，我们预计GaAS，由于市场丰裕，它还可以垄断一段时间。但是随着不断的技术革新，我相信很多地方可以改进，将来PA市场上会有RFSOI的一席之地。

    记者：RFSOI在成本上与CMOS相比表现如何？

Peter Rabbeni：我相信RFSOI在PA的成本上还是相对有竞争力的，且性能比基于CMOS的PA好很多。基于CMOS的PA其实在性能上表现是不如RFSOI或者GaAS的。刚才我提到RFSOI是可以实现设备堆垛。对于CMOS，其实需要通过功效组合才能够提高其PA的效率，但是这个其实意味着更高的耗能，更好的耗能就意味着智能手机里面的电池量消耗的比较快，待机的时间也会很短。

    现在市场上有来Pericom Semiconductor的一个解决方案，应用我们公司的RSFOI，PA覆盖的带宽是在700MHz和2.6GHz，这个是在我们新加坡晶圆厂生产的。

    为什么我说RFSOI技术对中国的市场很重要？实行类似TD-LTE这个技术是中国很多网络服务和提供商所期望的愿景，这个技术它能够简化RF前端模块。而RFSOI的集成整合能力以及芯片结构设计的不断创新，可以为TD-LTE实现更好的集成。TD-LTE存在的一个问题是，它不能够同时上下传输数据，他必须传、停、收，但是这个就降低了对于RF前端模块的复杂性，使它能够使用更简单的技术，更简洁的结构。但是TD-LTE这个技术对于中国的手持设备和网络是相当重要的，因此我们相信RSFOI是能帮助驱动TD-LTE的集成的。

    对于机机交流，互联网和可穿戴设备，RSFOI技术也可以实现更高程度的RF集成。

    格罗方德在RFSOI技术和发展方面是绝对的领导者，我们在2007年的时候就已经宣布推出了RFISOR，到2015年为止，我们已经提出了三到四代的技术，并且到目前为止，已经向全球交付的产品超过了一百六十五亿件。

    我们与全球85%以上的顶端模块供应商达成紧密合作，这当中也包括中国的一些公司，我们在生产200mm与300mm的晶圆方面，有相当多的经验。我们也不断推进设备和技术革新，以面对将来的LTE方面的挑战。我们格罗方德RFSOI的价值主张是根据市场不断发展的需求来发展我们的道路路线。我们有业界最好的设计套件与模型，帮助我们的客户在第一次设计的时候就成功，不需要反复尝试，我们有巨大的制造规模和多个生产工厂，以及生产200mm、300mm晶圆丰富的生产经验和技术。另外我们也提供全球的技术支持，您在哪里我们就在哪里。

    之前我们也提过，我们跨三大洲，有五个工厂。现在有RFFOI技术的工厂是位于佛蒙特州的柏林顿镇。接下来希望在新加坡的工厂和东费什基尔（East Fishkill）的工厂也可以进行投产。

作为总结，我相信随着业内的标准不断演化，市场对于RF前端模组的解决方案将会有更多也更复杂的需求。我们的RFSOI技术不仅代表了RF前端模组的更高性能，也是一个实现RF前端模组更高集成的平台。格罗方德拥有历史悠久的RFSOI开发历史，并且我们已经投入大批量的生产，我们可以根据客户的需求和市场的趋势来进行技术路线图的制定，我们拥有完整的代工厂支持的模式，以及丰富的生态系统，可以提供极大的灵活性，并且覆盖整个产品的周期。

                                第三部分：记者提问

问题1：记者：我想请问一下格罗方德对于FinFET与FDSOI技术的看法，因为这两种技术都有厂在采用。

Subramani Kengeri：FDSOI跟FinFET之间的性能主要区别可以这样讲。首先两个都是全耗尽的工艺，这是带来刚性能之处。但是FDSOI是平面的晶体管工艺，而FinFET是立体的。另外如果你要说到某一个单晶片的性能表现，相比之下FinFET的性能更好，但他的功耗也是更高。如果是在同一功耗性能比之下，FDSOI是最好的，而这是客户所关注的。

问题2：记者：格罗方德是为数不多的几家，又提供FinFET又提供FDSOI的厂家，其他很多代工厂只是提供一种技术，想请问一下为什么是这样的选择。

Subramani Kengeri：重要的是，FinFET在性能表现上确实是绝佳的，那么他可能为服务器，或者是高速的计算提高功能。FDSOI没有这个必要，也做不到那么高性能。但是FinFET有一点，功耗相对比较高，性能比较高，价格也比较高,因此特别适合高端的市场。不过市场有很多种，除了高端市场之外的一切市场，FDSOI都是适用的。

问题3：记者：格罗方德现在FDSOI的产能能够满足之后几年的市场需求吗？

Subramani Kengeri：目前有三个长期的供货商，因此我们的产能肯定是够的。至少在接下来几年之内，我们完全有这个能力满足一切的市场需求，几年之后市场需求增大的时候，我们会尽量想办法去扩大产能，我现在已经有了一些想法了。

问题4：记者：作为一个新技术，如何保证质量与良品率？

Subramani Kengeri：第一，其实我们在每一次收到晶圆的时候，我们都会做一次非常细致的质量检查，并且我们生产的晶圆基本上可以达到100%的成品率。第二，我们有自己的一个检验的机构，对于我们下游所有的供货商定期进行质量检验，就像我们客户来工厂的时候也会进行定期的质检一样。

问题5：记者：制造设备方面，需要全部换新吗？还是利用现有的设备改进？

Subramani Kengeri：是在28nm生产设备上稍加改造就能实现应用22FDSOI工艺，改动很少，都不足5%。28nm使用的设备虽然有一些折旧了，但是还是可以完全利用来生产新技术，因此我们的成本也可以降低。

问题6：记者：同是代工厂，台积电和三星会使用FDSOI这个技术吗？

Subramani Kengeri：我们要先声明一下，今天讲了这么多FDSOI方面的内容，其实都是第二代的FDSOI，不是第一代的是28nm节点，台积电和三星可能曾推出过第一代的。我们原来是考虑过用28nm，但是之后进行一系列测试之后，发现性能达不到要求，我们就没有这样做。我不是很确定这个工艺设计从我们代工厂迁移到他们的厂会怎么样，是不是可以在不一样的范围之间进行转换，这个不是很清楚。台积电跟三星是不是在研究或使用第二代的技术，我们也不知道。

问题7：记者：FDSOI技术在不同代工厂之间兼容性如何？

Subramani Kengeri：简单来说，这样的技术，其实是很独家的，很复杂的，一般晶圆厂之间的这个技术是不兼容的。唯一可以保证兼容性的方式就是同时为两家代工厂研发同一种技术。就像我们其实已经为三星研发了14nm FinFET，那是一个非常简单，可以转化且能保证兼容性的技术。

问题8：记者：为什么说RFSOI对于TD-LTE发展很合适？

Peter Rabbeni：FD系统现在面临着很大的挑战，主要是因为它要求数据的下载和上传是同时的，这个可以在接收机和发送数据机间产生干扰，这个就意味这它对设备性能的要求就更高了。但是像中国的市场，它对系统兼容的要求没有那么高，采用的是TD-LTE这个系统，它实现的是交替上下，并不是同时。这意味着对设备性能的要求就更低了，对于晶片结构的要求也更加简单一些，不需要很多过滤器，也不需要很多的开关，这就允许它在RF前端模组这一方面更加简化一些。另外因为RFSOI是基于硅晶的一个技术，它可以进行很高程度的集成，并且实现数据的控制。因此它对于中国市场系统兼容性比较低，可以使用比较简单的设备市场是比较适合的，它没有像FD那么高的要求。

问题9：格罗方德是怎样为中国的客户提供技术支持的？有专利方面的问题吗？

Subramani Kengeri：对于第一个问题，并购IBM微电子业务之后，其实我们在北京和上海也有很大的分部，我们公司一共有将近两百个工程师，也和中国客户密切合作，提供完整的技术支持。

而第二个问题，我们拥有世界上最大的半导体专利群之一，其中包括FDSOI。我们在八到十年之前就开始开发FDSOI，所以并没有专利纷争。

问题10：记者：RFSOI未来可能会取代其他技术，想请问一下对射频行业影响将会是怎样的？

Peter Rabbeni：回答您刚才第一个问题，我想RFSOI已经在当今的市场上产生了重大的影响，因为一直到2015年GF已经向全球输出165亿个产品，因此这个RFSOI对于市场的影响是很广泛的。第二点，RF的技术应用很广泛，我们现在做到了不仅仅有RF开关、天线调节器，Pericom公司正在开发多频段的功率放大器。我相信RF前端模组已经受到业内广泛的关注。

问题11：记者：格罗方德属于代工的模式，还有一种是自己从设计到生产，一条龙的模式。在RFSOI这个技术上，哪种模式能够更好一点？

Peter Rabbeni：GF是一个纯粹的晶圆生产单位，我们其实并不设计产品，我们是旨在努力、更好的进行研发，帮助我们的客户更好利用我们研发出来的工艺技术，我们的确研发出了一些演示和展示的应用。譬如说演示用的RF开关，或者是跟RF相关的功率放大器，但这些都是想要来表现我们所研发处理的技术，在应用上是行之有效的，表现是良好的。我们的客户与终端市场更贴近，他们才是设计产品的。我们对于生产和产品分的很清楚，我们是一个纯粹的晶圆生产厂家。我再提一句，我们确实跟不少设计厂家建立了良好的伙伴关系，因此如果我们的客户自己没有这个设计能力出产品的话，我们可以把我们的客户跟我们的设计伙伴联系在一起，他们会合作完成想要的设计。

问题12：记者：前面介绍的技术主要是针对智能手机的支持比较多。实际上接下来，可穿戴市场可能会热起来。想请问一下，格罗方德对中国市场可穿戴式设备的预期，以及对中国的可穿戴式设备市场会有什么支持吗，会怎样做？

Peter Rabbeni：在我看来可穿戴设备和智能手机，在技术支持方面，它的主要变量是智能穿戴设备要求电池可以长时间使用，低成本，可以进行很高密度的集成，包括运用RF这种集成。这些变量其实是可穿戴设备在技术支持上，和智能手机不相上下，就中国市场来讲，我举几个例子，譬如MI小米手机，或者是华为公司，这两个厂家都非常成功的控制了它的成本，使它的价格具有很强劲的竞争优势，它的有一些可穿戴的设备零售价格低于13美金，并且卓有成效。但是我知道的是，他们这些可穿戴式设备的零件，往往只有最重要，最核心的零件才在里面，其他的一概没有。因此他们要求的是，他们对于设备的要求，就是超低功耗，低成本。低成本大家都爱。    

问题13：记者：对于RFSOI技术，格罗方德为客户提供的是200mm还是300mm晶圆？

Peter Rabbeni：现在市场主流的技术还是在200mm，这个主要是因为它衬底方面的要求。我们现在暂时看到这300mm的一般性是做在通讯方面。这个主要还是因为同一等级相比，300mm的性能更加好一些，更加优越一些。RF前端模组生态链对于300mm晶圆还不是成熟，还在作准备中。

问题14：记者：格罗方德考虑过在中国建代工厂吗？世界最大的四个代工厂中只用格罗方德在中国没有厂。

Subramani Kengeri：现在在目前来看，我们关注中国市场一个非常重要的原因是中国市场是世界上现在市场增量、增速潜力最快的市场，因此我们前一段时间收购了IBM微电子业务，也是为了增强我们在全球技术实力，事情是要一步步来的。如今我们对中国的支持来自我们其他的代工厂，比如我们在新加坡的晶圆厂。如果今后有实际的需求，如果今后中国的晶圆厂能够给我们带来真正的价值时，我们就会去建。我们是一个全球化的公司，其实我们从欧洲开始，然后慢慢逐渐拓展到了北美洲和亚洲还有新加坡，如果有业务需求我们会进一步拓展。

                                                                                                                                            （张彦雯）